RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
29
Скорость чтения, Гб/сек
8.8
17.7
Скорость записи, Гб/сек
5.6
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1344
3728
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link