RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
65
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость записи
5.5
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
51
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
10.5
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
5.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
1941
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link