RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
65
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.5
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
51
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
1941
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1GS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link