RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
51
65
Intorno -27% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
5.5
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
51
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
10.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
5.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
1941
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link