RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
10.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
65
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.5
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
51
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
10.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
5.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
1941
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link