RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
10.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
51
65
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.5
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
51
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
10.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
5.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
1941
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link