RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
8.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
29
Prędkość odczytu, GB/s
8.8
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1344
3728
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link