RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
62
Wokół strony -226% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
19
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3370
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link