RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
62
Около -226% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.8
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
19
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
19.8
Скорость записи, Гб/сек
5.9
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3370
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link