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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
51
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
15.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
34
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2789
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905734-022.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
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