RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
67
En 24% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
15.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
67
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
1798
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link