RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
34
En 15% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.1
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
34
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
16.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
25600
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2711
3324
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link