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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
36
En 19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
36
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2711
2519
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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