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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
27
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2711
3429
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
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