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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Confronto
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
29
Intorno -7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
27
Velocità di lettura, GB/s
15.8
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2711
3429
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905474-037.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
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