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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Inmos + 256MB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Inmos + 256MB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
Inmos + 256MB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
30
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
16800
En 1.01% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Inmos + 256MB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Inmos + 256MB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
30
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
11.5
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
16800
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2711
2318
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Inmos + 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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