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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Inmos + 256MB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Inmos + 256MB

总分
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

总分
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

差异 规格 评论

差异

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB 需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 30
    左右 3% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.8 left arrow 11.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.8 left arrow 9.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 16800
    左右 1.01% 更高的带宽
Inmos + 256MB 需要考虑的原因
Inmos + 256MB
报告一个错误

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Inmos + 256MB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    29 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    15.8 left arrow 11.5
  • 写入速度，GB/s
    11.8 left arrow 9.1
  • 内存带宽，mbps
    17000 left arrow 16800
Other
  • 描述
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow no data
  • 排名PassMark (越多越好)
    2711 left arrow 2318

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB RAM的比较

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