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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Compara
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Puntuación global
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
49
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
49
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1335
2668
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
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