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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
63
69
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
3,139.2
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
69
63
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
4,027.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
3,139.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
6400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
739
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
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