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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
63
En 52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
8.8
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.6
3,139.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
10600
6400
En 1.66% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR2
Latencia en PassMark, ns
30
63
Velocidad de lectura, GB/s
8.8
4,027.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.6
3,139.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
6400
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1344
739
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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