Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Puntuación global
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Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 63
    En 52% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    8.8 left arrow 4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    5.6 left arrow 3,139.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 6400
    En 1.66% mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR2
  • Latencia en PassMark, ns
    30 left arrow 63
  • Velocidad de lectura, GB/s
    8.8 left arrow 4,027.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    5.6 left arrow 3,139.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 6400
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1344 left arrow 739
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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