Porównanie pamięci RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

30 63

Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

8.8 4

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

5.6 3,139.2

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

10600 6400

Wokół strony 1.66% większa szerokość pasma

Powody do rozważenia
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1344 739

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns