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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Gesamtnote
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
63
Rund um 52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.8
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
3,139.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
10600
6400
Rund um 1.66% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
30
63
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.8
4,027.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
3,139.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
6400
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1344
739
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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