RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Gesamtnote
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
63
Rund um 52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.8
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
3,139.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
10600
6400
Rund um 1.66% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
30
63
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.8
4,027.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
3,139.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
6400
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1344
739
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB RAM-Vergleiche
Kingston KP223C-ELD 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link