Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

総合得点

Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

相違点仕様コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

30 63

周辺 52% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

8.8 4

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

5.6 3,139.2

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

10600 6400

周辺 1.66% 高帯域

Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

考慮すべき理由
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR2
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

30 63
読み出し速度、GB/s

8.8 4,027.7
書き込み速度、GB/秒

5.6 3,139.2
メモリ帯域幅、mbps

10600 6400

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1344 739

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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