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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

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Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 63
    周辺 52% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    8.8 left arrow 4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    5.6 left arrow 3,139.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 6400
    周辺 1.66% 高帯域
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB 考慮すべき理由
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    30 left arrow 63
  • 読み出し速度、GB/s
    8.8 left arrow 4,027.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.6 left arrow 3,139.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1344 left arrow 739

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