RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB против Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
63
Около 52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
8.8
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
5.6
3,139.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
10600
6400
Около 1.66% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR2
Задержка в PassMark, нс
30
63
Скорость чтения, Гб/сек
8.8
4,027.7
Скорость записи, Гб/сек
5.6
3,139.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
6400
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1344
739
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB Сравнения RAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link