Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB против Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    30 left arrow 63
    Около 52% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    8.8 left arrow 4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    5.6 left arrow 3,139.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    10600 left arrow 6400
    Около 1.66% выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    30 left arrow 63
  • Скорость чтения, Гб/сек
    8.8 left arrow 4,027.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.6 left arrow 3,139.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 6400
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1344 left arrow 739
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения