Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Punteggio complessivo
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Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    30 left arrow 63
    Intorno 52% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    8.8 left arrow 4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    5.6 left arrow 3,139.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    10600 left arrow 6400
    Intorno 1.66% larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR2
  • Latenza in PassMark, ns
    30 left arrow 63
  • Velocità di lettura, GB/s
    8.8 left arrow 4,027.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    5.6 left arrow 3,139.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 6400
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1344 left arrow 739
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