Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Pontuação geral
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Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    30 left arrow 63
    Por volta de 52% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    8.8 left arrow 4
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    5.6 left arrow 3,139.2
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 6400
    Por volta de 1.66% maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR2
  • Latência em PassMark, ns
    30 left arrow 63
  • Velocidade de leitura, GB/s
    8.8 left arrow 4,027.7
  • Velocidade de escrita, GB/s
    5.6 left arrow 3,139.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 6400
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1344 left arrow 739
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