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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Pontuação geral
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
63
Por volta de 52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
8.8
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.6
3,139.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
10600
6400
Por volta de 1.66% maior largura de banda
Razões a considerar
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR2
Latência em PassMark, ns
30
63
Velocidade de leitura, GB/s
8.8
4,027.7
Velocidade de escrita, GB/s
5.6
3,139.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
6400
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1344
739
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB Comparações de RAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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