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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
8.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
41
Por volta de -21% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
34
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.7
8.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2366
2504
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparações de RAM
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Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R538G1601U2S 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
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