RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Note globale
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
63
Autour de 52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
8.8
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.6
3,139.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
10600
6400
Autour de 1.66% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR2
Latence dans PassMark, ns
30
63
Vitesse de lecture, GB/s
8.8
4,027.7
Vitesse d'écriture, GB/s
5.6
3,139.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
6400
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1344
739
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB Comparaison des RAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link