Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Note globale
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

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Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    30 left arrow 63
    Autour de 52% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    8.8 left arrow 4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    5.6 left arrow 3,139.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    10600 left arrow 6400
    Autour de 1.66% bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR2
  • Latence dans PassMark, ns
    30 left arrow 63
  • Vitesse de lecture, GB/s
    8.8 left arrow 4,027.7
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    5.6 left arrow 3,139.2
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 6400
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1344 left arrow 739
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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