RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3506
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link