RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
33
Por volta de -10% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
30
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
14.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
3506
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link