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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
63
69
左右 -10% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
3,139.2
1,857.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
69
63
读取速度,GB/s
4,217.2
4,027.7
写入速度,GB/s
1,857.7
3,139.2
内存带宽,mbps
6400
6400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
739
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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