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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Compara
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Puntuación global
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
79
En 48% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
79
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1335
1710
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
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Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
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