RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Porównaj
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
79
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
79
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1335
1710
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link