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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Compara
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Puntuación global
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
92
En 55% menor latencia
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
92
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1335
1640
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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V-GEN D4H8GS24A8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
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