RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Confronto
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Punteggio complessivo
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
92
Intorno 55% latenza inferiore
Motivi da considerare
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
10.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
92
Velocità di lettura, GB/s
10.7
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1335
1640
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Segnala un bug
×
Bug description
Source link