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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
46
En -109% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.0
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1959
3929
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston 9965426-088.A00LF 4GB
Kingston 9965525-054.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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