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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
6.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
37
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2046
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
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