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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Compara
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB vs Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Puntuación global
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
46
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1959
3501
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
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