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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
比较
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB vs Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
总分
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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规格
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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
28
读取速度,GB/s
12.0
18.2
写入速度,GB/s
7.5
14.9
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1959
3501
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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