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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB vs Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Puntuación global
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
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Razones a tener en cuenta
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
46
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1959
2642
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
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