RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
10.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
50
104
En -108% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
2,404.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
50
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
10.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2064
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link