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Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Puntuación global
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
23
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
22
23
Velocidad de lectura, GB/s
17.0
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.9
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3112
3156
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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