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Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Compara
Mushkin 991586 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Puntuación global
Mushkin 991586 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Mushkin 991586 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
26
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2156
3482
Mushkin 991586 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
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