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Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Compara
Mushkin 991586 2GB vs Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Puntuación global
Mushkin 991586 2GB
Puntuación global
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Mushkin 991586 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
5.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
12.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
5.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2156
1970
Mushkin 991586 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
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