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Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Compara
Mushkin 991586 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Puntuación global
Mushkin 991586 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Mushkin 991586 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
49
En 47% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
49
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2156
2534
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
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