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Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Compara
Mushkin 991586 2GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Puntuación global
Mushkin 991586 2GB
Puntuación global
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Mushkin 991586 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
33
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2156
3116
Mushkin 991586 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
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A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
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