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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Compara
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Puntuación global
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
63
En -97% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.1
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.9
5.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
32
Velocidad de lectura, GB/s
7.7
11.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.0
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1130
2238
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
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