RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Compara
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Puntuación global
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR5
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.1
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3419
2889
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link