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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Comparez
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Note globale
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR5
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
25
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
12.1
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3419
2889
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Comparaison des RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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