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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Gesamtnote
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR5
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
13.6
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3419
2889
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB RAM-Vergleiche
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V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB RAM-Vergleiche
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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